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数字化驱动纳秒级高速切换

更新时间:2024-05-17 05:17:14 编号:fb2ajimds826aa
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  • SOI芯片式高速光开关阵列

  • 8年

胡玉涵

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纳秒级高速切换
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数字化驱动纳秒级高速切换

SIMOX技术是早的SOI晶圆制备技术之一,是利用离子注入技术把氧离子注入到硅中,形成氧化物隔离埋层,通过氧化物隔离埋层隔离衬底和顶层硅薄膜层。氧离子注入的能量为200keV,剂量为  ,氧离子会注入到硅晶圆表面下方;然后经由3~6小时的高温(1350℃)退火,硅晶圆里的氧离子和硅发生化学反应,在硅晶圆表面下方形成一层厚度小于240nm的二氧化硅绝缘层材料。而在此二氧化硅绝缘层的上方则会产生一层结晶层,它们就组成了硅薄层-二氧化硅绝缘层材料-硅衬底的SOI结构。
为了对短时间大视场一维光强信息进行采集,采用编码转换技术和自聚焦透镜矩形阵列设计了光开关,用小口径电光晶体实现了大视场的测量.采用MOS管级联的高压同步电路,使得系统具有结构紧凑、、寿命长等优点.实验结果表明:开关选通时间100±5 ns,前后沿小于25 ns,消光比1 100∶1
纳秒级高速切换
品名称:NxN速光开关
产品简介:
高速铌酸速光开光具有的开关速度(标准产品是10ns,速产品为<100ps),较低的插损(标准插损3.5dB,插损型号为2dB),高开关速率为亚纳秒,标准产品为10ns开关速率,产品也适合领域的微波通信用途。通道数可定制!
纳秒级高速切换
NxN可定制通道
提供差损类型,差损<3dB, <2dB可以定制。
可定制超小尺寸
纳秒级高速切换
详情介绍:
高速光开关阵列的特点:本系列光开关产品为集成式低损耗,无阻断高速光开关阵列,可用于高速光切换,网络配置及光学包交换。
雪崩光电探测器(APD)
产品特性:
高速响应达GHz
封装尺寸小:50 x 50 x 45 mm
400-1000 nm /850-1650 nm波长可选
增益连续可调:1x to 100x (ADP210)
1x to 10x (ADP310)
SM05适配器

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详细资料

主营行业:光学配件
公司主营:光开关,衰减器,延迟线,光无源器件
主营地区:绵阳
企业类型:个体经营
注册资金:人民币1000万
公司成立时间:2015-03-16
员工人数:51 - 100 人
研发部门人数:51 - 100 人
经营模式:生产型
经营期限:2015-03-16 至 2053-01-01
最近年检时间:2023年
登记机关:绵阳市工商行政管理局
经营范围:通信设备(不含大功率发射装置)、光电器件及耗材的研发、生产、销售,计算机软硬件的开发,网络技术服务,货物进出口。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)***
是否提供OEM:
质量控制:内部
公司邮编:621000
公司电话:0816-2384466
公司传真:0816-2390866
公司邮箱:huadong@zg-photonics.com
公司网站:http://www.zg-photonics.com/
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