SIMOX技术是早的SOI晶圆制备技术之一，是利用离子注入技术把氧离子注入到硅中，形成氧化物隔离埋层，通过氧化物隔离埋层隔离衬底和顶层硅薄膜层。氧离子注入的能量为200keV，剂量为 ，氧离子会注入到硅晶圆表面下方；然后经由3~6小时的高温（1350℃）退火，硅晶圆里的氧离子和硅发生化学反应，在硅晶圆表面下方形成一层厚度小于240nm的二氧化硅绝缘层材料。而在此二氧化硅绝缘层的上方则会产生一层结晶层，它们就组成了硅薄层-二氧化硅绝缘层材料-硅衬底的SOI结构。
为了对短时间大视场一维光强信息进行采集,采用编码转换技术和自聚焦透镜矩形阵列设计了光开关,用小口径电光晶体实现了大视场的测量.采用MOS管级联的高压同步电路,使得系统具有结构紧凑、、寿命长等优点.实验结果表明:开关选通时间100±5 ns,前后沿小于25 ns,消光比1 100∶1
NxN可定制通道
提供差损类型，差损<3dB, <2dB可以定制。
可定制超小尺寸
详情介绍：
高速光开关阵列的特点：本系列光开关产品为集成式低损耗，无阻断高速光开关阵列，可用于高速光切换，网络配置及光学包交换。
高集成化光开关，作为实现全光交换功能的核心部件，目前国内普遍采用单器件级联拼接的方式实现矩阵化。这种方案在其指标、工艺要求、产品可靠性及成本等方面形成瓶颈，导致国内全光交换应用在推广性、发展难以突破。
光电倍增管Photomultiplier Modules
产品特性：
两种波段可选：280 - 630 nm 或 280 - 850 nm
可提供倍增管接口组件
具有防静电和消磁作用
变换增益：阳电流1 V/μA
链构型环形电
封装与SM1螺纹匹配
封装含4个螺纹孔，与ER系列笼杆匹配
支杆可安装于3种不同组件
120V电源供应（230V可选）
SMA输出
