产品别名 |
三极管,功率晶体管,双极型晶体管,晶体三极管 |
面向地区 |
全国 |
半导体三极管(Bipolar Junction Transistor)，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，也是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
VMOS是在 MOS的基础上改进的一种大电流，高放大倍数（跨道）新型功率晶体管，区别就是使用了V型槽，使MOS管的放大系数和工作电流大幅提升，但是同时也大幅增加了MOS的输入电容，是MOS管的一种大功率改进型产品，但是结构上已经与传统的MOS发生了的差异。VMOS只有增强型的而没有MOS所特有的耗尽型的MOS管。
工作状态
截止状态
当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。
放大状态
当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并处于某一恰当的值时，三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基极电流对集电极电流起着控制作用，使三极管具有电流放大作用，其电流放大倍数β=ΔIc/ΔIb，这时三极管处放大状态。
功率晶体管是随着近几年移动通信系统对基站功率放大器和手机功率放大器的性能要求提高逐渐发展起来的新型射频功率器件。具有工作性能高、寄生电容小、易于集成等特点。特别适合在集成电路中作功率器件。
工作模式
1、当BE结正偏、CB结反偏时，功率晶体管处于放大模式。
2、当BE结合CB结均正偏时，功率晶体管处于饱和模式。
3、当BE结零偏或反偏、CB结反偏时，功率晶体管处于截止模式。
功率晶体管的放大作用表现为：用较小的基极电流可以控制较大的集电极电流；或者将较小的功率按比例放大为较大的功率。
主要参数
1、额定电压。
2、电流定额：集电极大电流Icm，集电极持续电流Ic。
3、集电极大耗散功率：Pcm（管壳为25℃时）。
4、高结温Tmj（一般为150℃）。
5、开关时间：开通时间、存储时间、下降时间。
