IKW30N60T沟槽型场截止场效应晶体管
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更新时间：2018-11-07 15:33:02 信息编号：232433720

￥9

≥ 10只

价格：
9.00 元
产地：
原产地
导电类型：
单极型
关键词：
场效应晶体管

陈小姐

13632800820 0755-82530048

1668527835

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详情介绍

产品别名	场效应晶体管	面向地区	广东深圳	产地	原产地
导电类型	单极型	产品性质	新品	处理信号	模拟信号
封装	TO247-3	型号	IKW30N60T	营销方式	库存

IKW30N60T沟槽型场截止场效应晶体管

深圳市星际金华优势 IKW30N60T沟槽型场截止场效应晶体管全新货源充足价优物原价格实惠有意者请致电选购支持实单议价

规格：
IGBT 类型沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（大值） 600V
电流 - 集电极（Ic）（大值） 60A
脉冲电流 - 集电极 (Icm) 90A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.05V @ 15V，30A
功率 - 大值 187W
开关能量 1.46mJ
输入类型标准
栅极电荷 167nC
25°C 时 Td（开/关）值 23ns/254ns
测试条件 400V，30A，10.6 欧姆，15V
反向恢复时间（trr） 143ns
工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商器件封装 PG-TO247-3

应用
PFC + PWM拓扑结构：
焊接
UPS
太阳能

TRENCHSTOP 5 产品特色
650V 击穿电压
与 Infineon 的 "HighSpeed 3" 系列相比
Qg系数降低了2.5倍
开关损耗降低了2倍
VCE(sat) 减少了200mV
S5产品特色
同类产品中容易使用的IGBT
25°C时，低VCE(sat)为1.35V
软电流下降特性，无尾电流，低EMI
可帮助用户降低电路复杂性 - 单一RG、无齐纳二极管、无闸极电容、无缓冲电容

此型号由星际金华长期现货供应产品，因市场价格变动幅度较大，下单前与工作人员咨询！！！

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