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IPS65R1K5CE和IPN50R3K0CE场效应功率晶体管

更新时间：2021-05-19 15:53:52 信息编号：141615286
IPS65R1K5CE和IPN50R3K0CE场效应功率晶体管
￥面议≥ 1只

  • 面议

  • 原产地

  • 双极型

  • 晶体管

陈晓宏

13632800820 0755-82530048

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详情介绍

产品别名
场效应功率晶体管
面向地区
产地
原产地
导电类型
双极型
产品性质
新品
处理信号
模拟信号
封装
TO-251-3
型号
IPS65R1K5CE和IPN50R3K0CE
营销方式
库存

IPS65R1K5CE和IPN50R3K0CE场效应功率晶体管

深圳市星际金华优势大量原装出售IPS65R1K5CE和IPN50R3K0CE场效应功率晶体管！！！

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IPS65R1K5CE：
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Tc）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（大值） 3.5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（大值） 10.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（大值） 225pF @ 100V
Vgs（大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（大值） 28W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（大值） 1.5 欧姆 @ 1A，10V
工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-251
封装/外壳 TO-251-3 短截引线，IPak

此型号为星际金华长期出售，网上所标价持有不确定性，价格请以当天询问为准，有意者欢迎来电联系。

优势货源：
IPS65R1K5CE
IPN50R3K0CE
H26M31001HPR
EP2AGX65DF29I5N
SIHW30N60E
TM4C129ENCPDTI3R
LCMXO1200C-3TN144C
XC3S500E-4PQG208I
MX29GL512FLT2I-11G
LM22676MRE-ADJ
PFE1000F-48
FMS6502MTC24X
LM3406HVMHX
WM8718SEDS
TFA9890UK
LM3S1811-IQC50
THGBMBG8D4KBAIR
TC58NVG2S0HBAI4
PM7366
CY8C4125AXI-483</a>
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