IRFH5250DTRPBFN沟道场效应晶体管
使用微信扫描二维码分享朋友圈，成交更快更简单！

更新时间：2018-02-08 10:55:53 信息编号：114104796

￥0.31

≥ 1只

价格：
0.31 元
产地：
原产地
导电类型：
单极型
关键词：
IRFH5250DTRPBF,N沟道场效应晶体管

陈晓宏

13632800820 0755-82530048

1668527835

微信在线

获取报价在线咨询

详情介绍

产品别名	IRFH5250DTRPBF,N沟道场效应晶体管	面向地区	广东深圳	产地	原产地
导电类型	单极型	产品性质	新品	处理信号	模拟信号
封装	8-PowerVDFN	型号	IRFH5250DTRPBF	营销方式	库存

IRFH5250DTRPBFN沟道场效应晶体管

深圳市星际金华电子公司现货营销 IRFH5250DTRPBF N沟道场效应晶体管，原装，质量，价格实惠！！！

星际金华为您提供 IRFH5250DTRPBF N沟道场效应晶体管，量大价优，欢迎广大商友来电咨询订购！！！

产品详细参数：
FET 类型N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）40A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（大值）2.35V @ 150µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（大值） 83nC @ 10V
Vgs（大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（大值） 6115pF @ 13V
FET 功能 -
功率耗散（大值） 3.6W（Ta），156W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（大值）1.4 毫欧 @ 50A，10V
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型表面贴装
供应商器件封装 PQFN（5x6）单芯片焊盘
封装/外壳 8-PowerVDFN

公司还以下型号：
87BFN-120R-3F
ISL58302D1RTZ
PIC24HJ128GP510AT-I/PT
PIC32MX320F128HT-80I/MR
PIC16LF873AT-I/ML
STI5518DVC
LAN9117
EDD2516AETA-6B
BCM54684D0KFBG
ICL7660ACBAZA
SKY77767-11
STP5NK50ZFP
TC74HC590AP
LMS6002DFN
PHB11N06LT
IS61WV51216EDBLL-8TLI
SKY77753-51
ATMXT154E-MAHIR
TS3A27518EZQSR
XC8101AA01MR
CSPEMI201AG
ACPL-332J-500E
ACPL-M43T-500E
BD9007HFP
LSM330TR
TAS5142DDVR
LT1620IS8
LTC2903IS6-B1
ZEN056V130A24GS
RFM04U6P
RUL035N02TR
MP2451DT
LM70CIMM-5
LM4853MMX
BA7808FP
XR16V554IL
MCP112T-270E

【IRFH5250DTRPBF N沟道场效应晶体管】此型号均是我司优势长期现货供应产品，网上所标价持有不确定性，价格请以当天询问为准，有意者，可以来电联系公司工作人员！！！
我们将竭诚为您服务！！！

上一条厂家供应危化品仓库厂房专用格力3P防爆空调MFPP电缆导管MFPP钢塑复合管生产厂家联系电下一条