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BSC010N04LSIN沟道场效应管

更新时间:2018-02-08 10:55:53 信息编号:111809317
BSC010N04LSIN沟道场效应管
1.3≥ 1只
  • 1.30 元

  • 原产地

  • 单极型

  • BSC010N04LSI,N沟道场效应管

13632800820 0755-82530048

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详情介绍

产品别名
BSC010N04LSI,N沟道场效应管
面向地区
产地
原产地
导电类型
单极型
产品性质
新品
处理信号
模拟信号
封装
8-PowerTDFN
型号
BSC010N04LSI
营销方式
库存

BSC010N04LSIN沟道场效应管

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产品详细参数:
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)37A(Ta),100A(Tc)
驱动电压(大 Rds On,小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(大值)2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(大值) 87nC @ 10V
Vgs(大值)±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(大值)6200pF @ 20V
FET 功能肖特基二极管(体)
功率耗散(大值)2.5W(Ta),139W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(大值)) 1.05 毫欧 @ 50A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PG-TDSON-8 FL
封装/外壳8-PowerTDFN

公司还提供以下型号:
TMP513AIRSAR
TPS22904YFPR
TMP423BIDCNR
BSC010N04LSI
BSC016N06NS
BSC077N12NS3G
BSC028N06NS
STD25NF20
XC7Z035-1FBG676I
XC7A200T-1SBG484I
TMS320C6414TBCLZ1
MIP4150MDSLJ
W25Q64FVSFIG
STM8S003F3U6TR
UCB1400BEVM
GD25Q16CSIG
NCV7513BFTR2G
ESD8472MUT5G
BCM82764BKFSBG
MFRC63001HN
L6207PD
WM9714LGEFL
AGQ210A03Z
GT60M324
BQ24260YFFR
BQ24261YFFR
STK672-432B
TLE2301INE
STM8L101F2U6ATR
6N136M
STW4N150
MM3Z39VT1G
NCP1607BDR2G
TPS78218DRVR
ACMD-6003
BGU8052
TQP9418
HMC546LP2E
LTC6994IS6-1
XCVU440-2FLGA2892E
BU30TD2WNVX
LM3646YFQR

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深圳市星际金华实业有限公司 10年

  • 单片机,驱动ic,二三极管,开关ic
  • 深圳市福田区振中路新亚洲国利大厦1239-1241

———— 认证资质 ————

没有个人认证
企业认证已通过
天眼查已核实
手机认证已通过
没有微信认证

最近来访记录

  • 北京丰台网友用手机一个月前在神马搜索“bsc04”访问了本页

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