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湖北8DLJJMICRO放电管,半导体放电管

更新时间:2024-11-18 05:33:27 编号:s628v7c9m86739
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韩旭

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湖北8DLJJMICRO放电管,半导体放电管

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江苏捷捷微电子股份有限公司创建于1995年,是一家从事半导体分立器件、电力电子元器件研发、制造和销售的江苏省高新技术企业、江苏省创新型企业、中国半导体协会会员单位、中国电器工业协会电力电子分会会员单位。公司建有“江苏省企业技术中心”、“江苏省工程技术研究中心”。公司具备的技术创新能力、良好的市场信誉和业务网络,是国内电力半导体器件领域中,晶闸管器件及芯片方片化IDM(整合元件制造商,即覆盖了整个芯片产业链,集芯片设计,制造和封装测试一体)的半导体厂商。公司“捷捷”牌产品已销往日本、韩国、西班牙、新加坡、台湾等国家和地区,可靠的质量得到了用户的充分肯定。

2013年11月13日~15日 第82届中国电子展在上海浦东新国际博览中心(上海市龙阳路2345号)召开,展会展出产品有工业级电子元器件、光电器件、集成电路、电源模块、嵌入式系统、新型传感器技术、电子材料、电子基础装备、电子工具、电子测量仪器及工控自动测试系统等。

各放电管的比较如下表:

比较项目 固体放电管 气体放电管 压敏电阻 TVS二极管
保护方式 负阻 负阻 箝位 箝位
保护原理 无触发极pnpn 气体电离放电 类似雪崩二极管 雪崩二极管
结电容 50pF 1pF 500pF 50pF
响应时间 <1ns >1us <1us <1ns
大瞬间电流 3000A 20000A 6500A 50A
大漏电流 1uA 1pA 10uA 20uA
可靠性 无限重复使用 可能蜕化 可能蜕化 可能损坏
主要优点 导通, 瞬间电流很大 低电压使用,
无限重复,
快速响应
主要缺点 瞬间电流较小 响应时间慢 电容大,会蜕化 瞬间电流很小

放电原理

TVS管基于二极管雪崩效应,压敏电阻器基于氧化锌晶粒间的势垒作用,而气体放电管则是基于气体击穿放电。
半导体放电管是一种过压保护器件,是利用晶闸管原理制成的,依靠PN结的击穿电流触发器件导通放电,可以流过很大的浪涌电流或脉冲电流。其击穿电压的范围,构成了过压保护的范围。
选用半导体放电管应注意以下几点:
1、大瞬间峰值电流IPP大于通讯设备标准的规定值。如FCC Part68A类型的IPP应大于100A;Bellcore 1089的IPP应大于25A。
2、转折电压VBO小于被保护电路所允许的大瞬间峰值电压。
3、半导体放电管处于导通状态(导通)时,所损耗的功率P应小于其额定功率Pcm,Pcm=KVT*IPP,其中K由短路电流的波形决定。对于指数波,方波,正弦波,三角波K值分别为1.00,1.4,2.2,2.8。
4、反向击穿电压VBR大于被保护电路的大工作电压。如在POTS应用中,大振铃电压(150V)的峰值电压(150*1.41=212.2V)和直流偏压峰值(56.6V)之和为268.8V,所以应选择VBR大于268.8V的器件。又如在ISDN应用中,大DC电压(150V)和大信号电压(3V)之和为153V,所以应选择VBR大于153V的器件。
5、若要使半导体放电管通过大的浪涌电流后自复位,器件的维持电流IH大于系统所能能提供的电流值。即:IH(系统电压/源阻抗)。

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