深圳市芯引力电子科技有限公司
主营产品：贴片电容、贴片钽电容、贴片电阻、贴片电感、贴片二极管、贴片三极管等等电子元器件BOM配单。
公司供应的电子元器件主要应用范围：移动电话，汽车，电脑，数码相机，显示，游戏控制台，硬盘驱动器，LED照明 ，打印机，平板电脑，电子书，手表，穿戴设备，3C智控设备，家居电器，娱乐智能玩具，单机片等
全心全意，工厂，价，高保质，BOM表配单
选电子元器件，采购来芯引力电子
水泥电阻，熔断电阻器的检测，贴片电容芯引力电子
水泥电阻的检测
检测水泥电阻的方法及注意事项与检测普通固定电阻完全相同。
熔断电阻器的检测
在电路中，当熔断电阻器熔断开路后，可根据经验作出判断：若发现熔断电阻器表面发黑或烧焦，可断定是其负荷过重，通过它的超过额定值很多倍所致；如果其表面无任何痕迹而开路，则表明流过的电流刚好等于或稍大于其额定熔断值。对于表面无任何痕迹的熔断电阻器好坏的判断，可借助万用表R×1挡来测量，为测量准确，应将熔断电阻器一端从电路上焊下。若测得的阻值为无穷大，则说明此熔断电阻器已失效开路，若测得的阻值与标称值相差甚远，表明电阻变值，也不宜再使用。在维修实践中发现，也有少数熔断电阻器在电路中被击穿短路的现象，检测时也应予以注意。
芯引力三星贴片电容部分规格如下：
CL31C220KJHNNWE三星贴片电容1206 22 pF 2000V C0G ±10 %
CL31C220JIFNNNE三星贴片电容1206 22 ㎊ 1000V C0G ±5 %
CL31C220JIFNFNE三星贴片电容1206 22 pF 1000V C0G ±5 %
CL31C220JHFNNNF三星贴片电容1206 22 pF 630V C0G ±5 %
CL31C220JHFNNNE三星贴片电容1206 22 pF 630V C0G ±5 %
CL31C220JHFNNCF三星贴片电容1206 22 ㎊ 630V C0G ±5 %
CL31C220JCCNNNC三星贴片电容1206 22 pF 100V C0G ±5 %
CL31C220JBCNNND三星贴片电容1206 22 pF 50V C0G ±5 %
CL31C220JBCNNNC三星贴片电容1206 22 pF 50V C0G ±5 %
CL31C200JBCNNNC三星贴片电容1206 20 pF 50V C0G ±5 %
CL31C1R8CBCNNNC三星贴片电容1206 1.8 pF 50V C0G ±0.25 pF
CL31C182JBCNNNC三星贴片电容1206 1.8 nF 50V C0G ±5 %
CL31C182GBCNNNC三星贴片电容1206 1.8 nF 50V C0G ±2 %
CL31C182FBCNNNC三星贴片电容1206 1.8 nF 50V C0G ±1 %
CL31C181JIHNNNE三星贴片电容1206 180 pF 1000V C0G ±5 %
CL31C181JHFNNNE三星贴片电容1206 180 pF 630V C0G ±5 %
CL31C181JGFNFNE三星贴片电容1206 180 pF 500V C0G ±5 %
CL31C181JBCNNND三星贴片电容1206 180 pF 50V C0G ±5 %
CL31C181JBCNNNC三星贴片电容1206 180 pF 50V C0G ±5 %
CL31C180JBCNNNC三星贴片电容1206 18 pF 50V C0G ±5 %
CL31C152JHHNNNE三星贴片电容1206 1.5 nF 630V C0G ±5 %
CL31C152JHHNFNE三星贴片电容1206 1.5 nF 630V C0G ±5 %
CL31C152JDFNNNE三星贴片电容1206 1.5 nF 200V C0G ±5 %
CL31C152JCCNNNC三星贴片电容1206 1.5 nF 100V C0G ±5 %
CL31C152JBCNNNC三星贴片电容1206 1.5 nF 50V C0G ±5 %
CL31C152GBCNNWC三星贴片电容1206 1.5 nF 50V C0G ±2 %
CL31C151KBCNBNC三星贴片电容1206 150 pF 50V C0G ±10 %
CL31C151JIFNNNE三星贴片电容1206 150 pF 1000V C0G ±5 %
CL31C151JHFNNNF三星贴片电容1206 150 pF 630V C0G ±5 %
CL31C151JHFNNNE三星贴片电容1206 150 pF 630V C0G ±5 %
CL31C151JHFNFNE三星贴片电容1206 150 pF 630V C0G ±5 %
CL31C151JGFNNNE三星贴片电容1206 150 pF 500V C0G ±5 %
CL31C151JBCNNNC三星贴片电容1206 150 pF 50V C0G ±5 %
电子元器件什么是电阻，贴片电容芯引力电子
电子元器件识别电阻在电路中用“R”加数字表示，如：R1表示编号为1的电阻电阻在电路中的主要作用为分流、限流、分压、偏置等1、参数识别：电阻的单位为欧姆（Ω），倍率单位有：千欧（KΩ），兆欧（MΩ）等换算方法是：1兆欧=1000千欧=1000000欧电阻的参数标注方法有3种，即直标法、色标法和数标法a、数标法主要用于贴片等小体积的电路，如：472 表示 47×100Ω（即4.7K）； 104则表示100Kb、色环标注法使用多，现举例如下：四色环电阻 五色环电阻（精密电阻）。电阻的色标位置和倍率关系如下表所示：颜色 有效数字 倍率 允许偏差（%）银色 / x0.01 ±10金色 / x0.1 ±5黑色 0 +0 /棕色 1 x10 ±1红色 2 x100 ±2橙色 3 x1000 / 4 x10000 /绿色 5 x100000 ±0.5蓝色 6 x1000000 ±0.2紫色 7 x10000000 ±0.1灰色 8 x100000000 /白色 9 x1000000000。
芯引力三星贴片电容部分规格如下：
CL31C0R5CBCNNND三星贴片电容1206 0.5 pF 50V C0G ±0.25 pF
CL31C0R5CBCNNNC三星贴片电容1206 0.5 pF 50V C0G ±0.25 pF
CL31C040CBCNNND三星贴片电容1206 4 pF 50V C0G ±0.25 pF
CL31C040CBCNNNC三星贴片电容1206 4 pF 50V C0G ±0.25 pF
CL31C030CBCNNNC三星贴片电容1206 3 pF 50V C0G ±0.25 pF
CL31C020CBCNNNC三星贴片电容1206 2 pF 50V C0G ±0.25 pF
CL31C010CBCNNNC三星贴片电容1206 1 pF 50V C0G ±0.25 pF
CL31B822KBCNNNC三星贴片电容1206 8.2 nF 50V X7R ±10 %
CL31B822KBCNFNC三星贴片电容1206 8.2 nF 50V X7R ±10 %
CL31B684KOCNNNC三星贴片电容1206 680 nF 16V X7R ±10 %
CL31B684KBHWPNE三星贴片电容1206 680 nF 50V X7R ±10 %
CL31B684KBHNNNE三星贴片电容1206 680 nF 50V X7R ±10 %
CL31B684KAPWPNE三星贴片电容1206 680 nF 25V X7R ±10 %
CL31B684KAHNNNE三星贴片电容1206 680 nF 25V X7R ±10 %
CL31B683KDHNNWE三星贴片电容1206 68 nF 200V X7R ±10 %
CL31B683KBCNNNC三星贴片电容1206 68 nF 50V X7R ±10 %
CL31B682KHFNFNE三星贴片电容1206 6.8 nF 630V X7R ±10 %
CL31B682KGFNNWE三星贴片电容1206 6.8 nF 500V X7R ±10 %
CL31B682KGFNNNE三星贴片电容1206 6.8 nF 500V X7R ±10 %
CL31B682KGFNFNE三星贴片电容1206 6.8 nF 500V X7R ±10 %
CL31B682KBCNNNC三星贴片电容1206 6.8 nF 50V X7R ±10 %
CL31B681KIFNNNF三星贴片电容1206 680 pF 1000V X7R ±10 %
CL31B681KIFNNNE三星贴片电容1206 680 pF 1000V X7R ±10 %
CL31B681KHFNNNF三星贴片电容1206 680 ㎊ 630V X7R ±10 %
CL31B681KHFNNNE三星贴片电容1206 680 pF 630V X7R ±10 %
CL31B681KHFNFNE三星贴片电容1206 680 pF 630V X7R ±10 %
CL31B681KGFNNNE三星贴片电容1206 680 pF 500V X7R ±10 %
CL31B681KBCNNNC三星贴片电容1206 680 pF 50V X7R ±10 %
什么是电容？贴片电容芯引力电子
电子元器件识别的电容识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。电容的基本单位用法拉（F）表示，其它单位还有：毫法（mF）、微法（uF）、纳法（nF）、皮法（pF）。其中：1法拉=103毫法=106微法=109纳法=1012皮法容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10 uF/16V容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示字母表示法：1m=1000 uF 1P2=1.2PF 1n=1000PF 数字表示法：一般用三位数字表示容量大小，前两位表示有效数字，第三位数字是倍率。如：102表示10×102PF=1000PF 224表示22×104PF=0.22 uF3、电容容量误差表符 号 F G J K L M允许误差 ±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20%如：一瓷片电容为104J表示容量为0. 1 uF、误差为±5%.
芯引力三星贴片电容部分规格如下：
CL31B562KBCNNNC三星贴片电容1206 5.6 nF 50V X7R ±10 %
CL31B561KBCNNNL三星贴片电容1206 560 ㎊ 50V X7R ±10 %
CL31B561KBCNNNC三星贴片电容1206 560 pF 50V X7R ±10 %
CL31B475MAHNNNE三星贴片电容1206 4.7 uF 25V X7R ±20 %
CL31B475KPHNNWE三星贴片电容1206 4.7 uF 10V X7R ±10 %
CL31B475KPHNNNE三星贴片电容1206 4.7 uF 10V X7R ±10 %
CL31B475KPHNFNE三星贴片电容1206 4.7 uF 10V X7R ±10 %
CL31B475KOHNNWE三星贴片电容1206 4.7 uF 16V X7R ±10 %
CL31B475KOHNNNE三星贴片电容1206 4.7 uF 16V X7R ±10 %
CL31B475KOHNFNE三星贴片电容1206 4.7 uF 16V X7R ±10 %
CL31B475KBHZFNE三星贴片电容1206 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL31B475KBHE三星贴片电容1206 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL31B475KBHNNNF三星贴片电容1206 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL31B475KBHNNNE三星贴片电容1206 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL31B475KBHNNFE三星贴片电容1206 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL31B475KBHNFNE三星贴片电容1206 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL31B475KBHN3WE三星贴片电容1206 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL31B475KBHN3NE三星贴片电容1206 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL31B475KAHZW6E三星贴片电容1206 4.7 uF 25V X7R ±10 %
CL31B475KAHE三星贴片电容1206 4.7 uF 25V X7R ±10 %
CL31B475KAHNNNF三星贴片电容1206 4.7 uF 25V X7R ±10 %
CL31B475KAHNNNE三星贴片电容1206 4.7 uF 25V X7R ±10 %
CL31B475KAHNFNE三星贴片电容1206 4.7 uF 25V X7R ±10 %
CL31B475KAH4PNE三星贴片电容1206 4.7 uF 25V X7R ±10 %
-/gbacjeb/-
