CTMicro,亿光,LITEON,CT1019,北京CT1018贴片光耦常备库存

光耦合器亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。它是以光为媒介来传输电信号的器件，通常把发光器（红外线发光二极管LED）与受光器（光敏半导体管，光敏电阻）封装在同一管壳内。当输入端加电信号时发光器发出光线，受光器接收光线之后就产生光电流，从输出端流出，从而实现了“电—光—电”控制。以光为媒介把输入端信号耦合到输出端的光电耦合器，由于它具有体积小、寿命长、无触点，抗干扰能力强，输出和输入之间绝缘，单向传输信号等优点，在数字电路上获得广泛的应用。

按封装形式分，可分为同轴型，双列直插型，TO封装型，扁平封装型，贴片封装型，以及光纤传输型
按传输信号分，可分为数字型光电耦合器（OC门输出型，图腾柱输出型及三态门电路输出型等）和线性光电耦合器（可分为低漂移型，高线性型，宽带型，单电源型，双电源型等）。
按速度分，可分为低速光电耦合器（光敏三极管、光电池等输出型）和高速光电耦合器（光敏二极管带信号处理电路或者光敏集成电路输出型）。
按通道分，可分为单通道，双通道和多通道光电耦合器。
按隔离特性分，可分为普通隔离光电耦合器（一般光学胶灌封低于5000V，空封低于2000V）和高压隔离光电耦合器（可分为10kV，20kV，30kV等）。
按工作电压分，可分为低电源电压型光电耦合器（一般5～15V）和高电源电压型光电耦合器（一般大于30V）。

一、输入特性
光耦合器的输入特性实际也就是其内部发光二极管的特性。常见的参数有：
1. 正向工作电压Vf（Forward Voltage）
Vf是指在给定的工作电流下，LED本身的压降。常见的小功率LED通常以If=20mA来测试正向工作电压，当然不同的LED，测试条件和测试结果也会不一样。
2. 反向电压Vr（Reverse Voltage ）
是指LED所能承受的大反向电压，超过此反向电压，可能会损坏LED。在使用交流脉冲驱动LED时，要特别注意不要超过反向电压。
3. 反向电流Ir（Reverse Current）
通常指在大反向电压情况下，流过LED的反向电流。
4. 允许功耗Pd（Maximum Power Dissipation）
LED所能承受的大功耗值。超过此功耗，可能会损坏LED。
5. 中心波长λp（Peak Wave Length）
是指LED所发出光的中心波长值。波长直接决定光的颜色，对于双色或多色LED，会有几个不同的中心波长值。
6. 正向工作电流If（Forward Current）
If是指LED正常发光时所流过的正向电流值。不同的LED，其允许流过的大电流也会不一样。
7. 正向脉冲工作电流Ifp（Peak Forward Current）
Ifp是指流过LED的正向脉冲电流值。为寿命，通常会采用脉冲形式来驱动LED，通常LED规格书中给中的Ifp是以0.1ms脉冲宽度,占空比为1/10的脉冲电流来计算的。

CT Micro 成立时专注于提供技术，并将其构建到我们的产品和解决方案中，然后可以通过我们客户苛刻的应用程序实施。

CT Micro 由一支技术、的团队管理，他们致力于光电和分立 MOSFET 产品的设计、营销和销售。所有高层管理和技术团队成员都拥有超过 15 年的产品知识，因此可以以少的精力和时间帮助实现从组件选择到实际成品实施的任何设计权利。所服务的一些终端市场应用领域包括消费电子、工业和家用电器。

了解任何佳应用和产品都需要匹配的组件， CT Micro 对我们所有的新产品实施严格的设计要求，并在我们的制造过程中实施世界的质量控制。对我们来说，创造可靠、的产品只是我们向客户、社会和世界展示我们的责任的一种方式。
CT Micro's 采用双模塑共面 (DMC-Isolator ® ) 封装技术，该技术采用特的封装材料和工艺配方设计，可提供的可靠性和隔离性能的光耦合器。

二色成型共面（DMC-隔离®）优势。

的隔离性能
在升高的温度下具有一致的传输特性性能
固定内部隔离间隙（通过绝缘的厚度）。
无铅且符合 RoHS。
CT Micro 的主要目标是朝着零缺陷迈进。为了实现这一目标，CT Micro 对从设计、制造到测试的质量进行了严格的控制。由于我们的旅程从设计开始，因此在此阶段使用 DFMEA 来理解和识别设计，以便尽早进行改进。在制造过程中，使用统计过程控制（SPC）来监控每个过程，以严密的 UCL 和 LCL 来保持过程控制的严密。这仅允许很小的偏差，确保良好和稳定的过程。在我们的测试中使用了多个测试，以确保测试程序将有效地筛选所有缺陷。保持我们对质量CT 的承诺Micro 会定期执行实时可靠性 (RTR)，以确保产品符合要求的质量标准。

CT Micro 将继续致力于打造满足并客户对质量、可靠性和服务期望的产品。