香港8TLJJMICRO放电管,半导体放电管

产品详情

香港8TLJJMICRO放电管,半导体放电管

关键词

放电管,香港放电管,5TS捷捷微电放电管,8TL捷捷微电放电管

面向地区

全国

气体放电管的结构及特性开放型气体放电管放电通路的电气特性主要取决于环境参数，因而工作的稳定性得不到
。为了提高气体放电管的工作稳定性，气体放电管大都采用金属化陶瓷绝缘体与电极进行焊接技术，从而了封接的外壳与放电间隙的气密性，这就为选择放电管中的气体种类和压力创造了条件，气体放电管内一般充电极有氖或氢气体。

放电原理

TVS管基于二极管雪崩效应，压敏电阻器基于氧化锌晶粒间的势垒作用，而气体放电管则是基于气体击穿放电。

承压能力

TVS管通常为5.5V到550V，压敏电阻从10V到9000V，气体放电管从75V到3500V。

半导体放电管是一种过压保护器件，是利用晶闸管原理制成的，依靠PN结的击穿电流触发器件导通放电，可以流过很大的浪涌电流或脉冲电流。其击穿电压的范围，构成了过压保护的范围。
选用半导体放电管应注意以下几点：
1、大瞬间峰值电流IPP大于通讯设备标准的规定值。如FCC Part68A类型的IPP应大于100A；Bellcore 1089的IPP应大于25A。
2、转折电压VBO小于被保护电路所允许的大瞬间峰值电压。
3、半导体放电管处于导通状态(导通)时，所损耗的功率P应小于其额定功率Pcm，Pcm=KVT*IPP，其中K由短路电流的波形决定。对于指数波，方波，正弦波，三角波K值分别为1.00，1.4，2.2，2.8。
4、反向击穿电压VBR大于被保护电路的大工作电压。如在POTS应用中，大振铃电压(150V)的峰值电压(150*1.41=212.2V)和直流偏压峰值(56.6V)之和为268.8V，所以应选择VBR大于268.8V的器件。又如在ISDN应用中，大DC电压(150V)和大信号电压(3V)之和为153V，所以应选择VBR大于153V的器件。
5、若要使半导体放电管通过大的浪涌电流后自复位，器件的维持电流IH大于系统所能能提供的电流值。即：IH(系统电压/源阻抗)。
TSS是电压开关型瞬态抑制二极管，就是涌抑制晶体管，或者叫做导体放电管，固体放电管等等。TSS管是利用半导体工艺制成的保护器件，半导体器件行业硕凯电子研发及生产多种规格型号的半导体放电管，主要用于信号电路的防雷保护。不能用在电源端口。 TSS器件的通流容量一般高可达到150A（8/20uS）。