关键词 |
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衬底对Ⅲ族氮化物的极性及极化作用的影响很重要。的外延膜所需的化学反应和条件与晶体的极性有关。在很多情况下，衬底决定外延材料晶体的极性、应力大小与种类(张应力或压应力)，以及极化效应的程度。用不同的外延生长技术，可以对这些性能进行适当的调整，如用蓝宝石衬底，可以生长任一极性的GaN膜。外延在异质衬底如蓝宝石和SiC上的GaN失配位错和线性位错密度一般为，而Si的同质外延的位错密度接近于零，GaAs同质外延的密度为 ，GaN中其它的晶体缺陷还包括反向畴晶界、堆垛层错。这些缺陷可以作为非辐射复合中心，会在带隙中引入能量态和降低少数载流子的寿命。杂质在线性位错的附近扩散比在体材料中更迅速，导致了杂质的不均匀分布，因而降低p-n结的陡峭性。由于GaN高的压电常数，在线性位错周围的本征应力导致电势和电微小的变化。这类缺陷一般不是均匀分布，因此此类材料或由此类材料制成的器件的电学性能和光学性能也就不均匀。缺陷会提高器件的阈值电压和反向漏电流，减少异质结场效应晶体管面载流子浓度，降低载流子迁移率和热导率。这些不利效应将射频理想性能的复杂结构的、大面积大功率器件的制备。不管选择什么衬底，衬底的许多不足之处如晶体质量及与GaN的结合性差等可以通过适当的表面处理得到改善，如氮化、沉积低温AlN或GaN缓冲层、插入多层低温缓冲层，侧向外延，悬空外延及其它技术。通过此类技术的使用，可以降低GaN外延层的位错密度。
特别是蓝光和绿光LED，广泛应用于大屏幕全彩显示屏、汽车灯具、多媒体成像、LCD背光、交通灯、光纤通信、卫星通信、海洋光通信、全息图像显示、图形识别等领域。体积小，重量轻，驱动电压低（3.5-4.0V），响应时间短，寿命长(。10万小时以上，冷光源，光效高，具有防爆、节能等功能。
GaN具有较宽的禁带宽度（3.4eV），以蓝宝石等材料为衬底，具有良好的散热性能，有利于器件在高功率条件下的工作。随着III族氮化物材料和器件研发的不断深入，GaInN蓝光和绿光LED技术已经商业化，现在全球各大公司和研究机构都投入巨资研发蓝光LED的竞争。
| 主营行业：齐纳二极管 |
| 公司主营：高压触发二极管,合金软桥,Low 肖特基二极管,可控硅 |
| 主营地区：中国 |
| 企业类型：有限责任公司 |
| 注册资金：人民币1000万 |
| 公司成立时间：2007-12-13 |
| 员工人数：51 - 100 人 |
| 研发部门人数：11 - 50 人 |
| 经营模式：生产型 |
| 最近年检时间：2024年 |
| 经营范围：电力电子元器件的技术研发、设计、生产;碳化硅芯片及电子产品的技术咨询服务及技术转让;销售:各高科技新型电子元器件、集成电器、家用电器、仪器仪表、电容器、电阻器、高压电源器、变压器、新能源汽车充电桩、机电自动化设备、自动化设备标准件、汽车电子配件、五金气动配件、建筑机械及配件、通讯设备及配件、环保设备及产品、过滤设备及材料、绝缘材料、防静电产品、塑料制品、橡胶制品;智能家居室内外装饰工程设计、承接照明安装工程、室内水电安装服务;货物及技术进出口。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动) |
| 是否提供OEM：是 |
| 公司邮编：523000 |
| 公司电话：0769-22302199 |
| 公司传真：0769-23158049 |
| 公司邮箱：jiaxundz@qq.com |
| 公司网站：http://www.jiaxundz.com/ |
