EUPEC晶闸管T1651N70TOH平板可控硅T571N65TOF

EUPEC晶闸管T1651N70TOH平板可控硅T571N65TOF

可控硅的主要参数有：

1、 额定通态平均电流IT 在一定条件下，阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。

2、 正向阻断峰值电压VPF 在控制极开路未加触发信号，阳极正向电压还未超过导能电压时，可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。可控硅承受的正向电压峰值，不能超过手册给出的这个参数值。

3、 反向阻断峰值电压VPR 当可控硅加反向电压，处于反向关断状态时，可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。使用时，不能超过手册给出的这个参数值。

4、 触发电压VGT 在规定的环境温度下，阳极---阴极间加有一定电压时，可控硅从关断状态转为导通状态所需要的小控制极电流和电压。

5、 维持电流IH 在规定温度下，控制极断路，维持可控硅导通所必需的小阳极正向电流。许多新型可控硅元件相继问世，如适于高频应用的快速可控硅，可以用正或负的触发信号控制两个方向导通的双向可控硅，可以用正触发信号使其导通，用负触发信号使其关断的可控硅等等。

分类编辑

可控硅有多种分类方法。

（一）按关断、导通及控制方式分类：可控硅按其关断、导通及控制方式可分为普通可控硅、双向可控硅、逆导可控硅、门极关断可控硅（GTO）、BTG可控硅、温控可控硅和光控可控硅等多种。

（二）按引脚和极性分类：可控硅按其引脚和极性可分为二极可控硅、三极可控硅和四极可控硅。

（三）按封装形式分类：可控硅按其封装形式可分为金属封装可控硅、塑封可控硅和陶瓷封装可控硅三种类型。其中，金属封装可控硅又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种；塑封可控硅又分为带散热片型和不带散热片型两种。

可控硅开关

可控硅开关

（四）按电流容量分类：可控硅按电流容量可分为大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅三种。通常，大功率可控硅多采用金属壳封装，而中、小功率可控硅则多采用塑封或陶瓷封装。

（五）按关断速度分类：可控硅按其关断速度可分为普通可控硅和高频（快速）可控硅。

（六）过零触发-一般是调功，即当正弦交流电交流电电压相位过零点触发，是过零点才触发，导通可控硅。

（七）非过零触发-无论交流电电压在什么相位的时候都可触发导通可控硅，常见的是移相触发，即通过改变正弦交流电的导通角（角相位），来改变输出百分比。

T731N44TOF
T901N28TOF
T901N30TOF
T901N32TOF
T901N34TOF
T901N36TOF
T1601N30TS20
T1601N32TS20
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T3801N31TOF
T3801N32TOF
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T3801N34TOF
T3801N35TOF
T3801N36TOF


Up to 5500V

T1551N48TOH
T1551N50TOH
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T2401N48TOH
T2401N50TOH
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T3441N48TOH
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T4021N53TOH
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T2851N48TOH
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T2851N52TOH
T2351N48TOH
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T2351N52TOH
T1651N60TOH
T1651N65TOH
T1651N70TOH
T571N65TOF
T281N65TOF
T1201N60TOH
T1201N65TOH
T1201N70TOH
T201N60TOH
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T501N60TOH
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T551N60TOH
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T1081N60TOH
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T1851N60TOH
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T2251N80TOH
T1901N70TOH
T1901N75TOH
T1901N80TOH
T2871N75TOH
T2871N80TOH

Up to 7000V、8000V 光控晶闸管Light Triggered Thyristors

T553N70TOH
T1503N75TS07
T1503N80TS07
T2563NH75TOH
T2563NH80TOH


SKKH106/12E SKKH106/16E
SKKH106/18E SKKH105/18E
SKKH122/08E SKKH122/14E
SKKH122/12E SKKH122/16E
SKKH131/08E SKKH131/14E
SKKH131/12E SKKH131/16E
SKKH122/18E SKKH131/18E
SKKH132/08E SKKH132/14E
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