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NCE2010E双N沟道（共漏）20V7A

更新时间：2022-12-16 09:22:02 信息编号：f42tj0ba8b08e4
NCE2010E双N沟道（共漏）20V7A

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李小燕

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产品别名
双N沟道,场效应管,NMOS,MOS管
面向地区
全国
品牌
新洁能
形状
长方形

NCE2010E双N沟道（共漏）20V7A

类型：双N沟道(共漏) 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：7A 功率(Pd)：1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：18mΩ@4.5V,6.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：900mV@250uA
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