富士代理富士IGBT模块2MBI1000VXB-170EA-54
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更新时间：2023-03-23 16:09:01 信息编号：df1431tvcdf44a

价格：
面议
商品产地：
其它
材料物理：
半导体
关键词：
富士IGBT代理,富士IGBT模块

刘经理

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详情介绍

产品别名	IGBT,IGBT模块	面向地区	北京	商品产地	其它
材料物理性质	半导体	材料晶体结构	单晶	材料	混合物
制作工艺	集成	输出信号	模拟型	质检报告	有

富士代理富士IGBT模块2MBI1000VXB-170EA-54

IGBT 2-Pack
2-Pack内置有半桥电路。
产品系列支持UPS、通用变频器、电力铁路、大型太阳能发电等的大范围转换器容量。
基础设施用途要求具有高可靠性，大功率模块和PrimePACK™能够满足这一需求。
标准产品为市场上普遍流通的外形，可兼容其他公司的产品。
2-Pack　650V、1200V、1700V级

IGBT结构的历史:将p +层添加到功率MOSFET的漏极侧以产生（n沟道）IGBT，其中当正电压施加到栅极时，形成n沟道。在此元素中，较低的电阻通过使用基层的电导率调制，可以在高电流下获得Sn。IGBT的结构大致可分为表面栅极结构和体结构,构成基础层。有两种类型的表面栅极结构。一是平面门在晶片表面即芯片表面上形成栅极的结构。另一个是沟槽栅极结构，其中制造沟槽以在晶片中形成栅极,另一方面，结构可以大致分为穿通型，其中耗尽层关断时与集电极侧接触，以及非穿通类型，其中不与集电极接触。自从1988年将IGBT商业化以来，富士电机一直向市场提供IGBT。通IGBT是当时的主流IGBT。穿通IGBT使用了从集电极侧高注入外延晶片和载流子以获得低导通状态电压。同时，由于使用了高注入n基极层，在关闭时迅速去除低通态电压和,这样便实现了低关断开关损耗（Eoff）。但是，当使用寿命控制技术时，特性得到了改善。之所以受到限制，是因为该技术抑制了高注入的载流子。另外，当使用了寿命控制技术，通态电压特性发生了变化，因此IGBT在那时不能通过并行使用满足大容量需求的增长。为了解决这些问题，开发了非穿通IGBT。在这个IGBT中，注入通过控制集电极中的杂质浓度可以抑制载流子的效率（p +通过使n基极层更薄而提高了传输效率,非穿通IGBT使用浮置区（FZ）晶圆代替外延晶圆，因此优点是受晶体缺陷影响较小。另一方面，有必要传输且n基极层更薄，即减小芯片厚度,为了具有较低的导通电压。富士电机开发了新的生产技术晶片更薄，特性得到改善。有必要生产具有更薄芯片的IGBT，以便进一步改进特点。但是，n基极层的厚度构成了大多数芯片厚度，如果厚度变薄，则无法保持规定的电压。磁场停止（FS）结构解决了此问题，从而改善了特性。在FS中因此，在n基极层中设置高浓度FS层，从而可以改善结构。富士电机还推进了改善的表面结构的小型化,IGBT的特性。 IGBT元件由许多排列的结构组成，称为电池。提供的IGBT单元越多，导通电压将越低。因此，表面结构已从平面结构改变，在平面结构中，IGBT单元在晶片表面至沟槽结构，其中在硅表面上形成沟槽，并且栅极结构是三维形成的。富士电机通过将各种技术应用于批量生产来改善了结构和表面结构。

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