关键词 |
光刻胶 |
面向地区 |
规格 |
其它 |
|
结构型式 |
分立式 |
显示方式 |
指针式 |
R-N 4340 化学放大胶，紫外曝光，可做lift-off工艺
i线、g线曝光。化学放大胶，高灵敏度，高分辨率，高对比度，在金属和氧化物表面附着力好，可用于lift-off工艺。
AR-N 4400 厚胶，化学放大胶，可以做lift-off工艺
i线、g线、深紫外、X-ray、电子束等都可以实现曝光。涂胶厚度从几十微米到上百微米，覆盖能力好，可用于表面粗糙的wafer表面涂覆，且剖面陡直，高分辨率。化学放大胶，灵敏度也非常高。可用于LIGA、电镀等工艺。采用碱性水溶液显影，除胶非常容易，可以提到传统的SU8胶。
AR-P 6200 分辨率、高耐刻蚀电子束正胶
高分辨率，通过简单的工艺即可得到10nm甚至更小的结构。高深宽比（可达20:1），高对比度（>15）。良好的耐干法刻蚀性能，是PMMA胶的2倍。完全可以取代ZEP胶，经济实惠，并且采购简单，包装规格多样化。
