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3DS捷捷微电放电管,放电管,台湾放电管,8TL捷捷微电放电管 |
面向地区 |
全国 |
各放电管的比较如下表:
比较项目 固体放电管 气体放电管 压敏电阻 TVS二极管
保护方式 负阻 负阻 箝位 箝位
保护原理 无触发极pnpn 气体电离放电 类似雪崩二极管 雪崩二极管
结电容 50pF 1pF 500pF 50pF
响应时间 <1ns >1us <1us <1ns
大瞬间电流 3000A 20000A 6500A 50A
大漏电流 1uA 1pA 10uA 20uA
可靠性 无限重复使用 可能蜕化 可能蜕化 可能损坏
主要优点 导通, 瞬间电流很大 低电压使用,
无限重复,
快速响应
主要缺点 瞬间电流较小 响应时间慢 电容大,会蜕化 瞬间电流很小
反应时间
TVS管>压敏电阻>气体放电管
TVS管为皮秒级,压敏电阻为纳秒级,气体放电管通常为几十个纳秒甚至更多。
通流能力
气体放电管>压敏电阻>TVS管
TVS管通常只有几百A,压敏电阻按不同规格可通过数KA到数十KA的单次8/20uS浪涌电流,气体放电管来说通常十KA级别8/20uS浪涌电流可导通数百次。
放电原理
TVS管基于二极管雪崩效应,压敏电阻器基于氧化锌晶粒间的势垒作用,而气体放电管则是基于气体击穿放电。
选用半导体放电管应注意以下几点:
1、大瞬间峰值电流IPP大于通讯设备标准的规定值。如FCC Part68A类型的IPP应大于100A;Bellcore 1089的IPP应大于25A。
2、转折电压VBO小于被保护电路所允许的大瞬间峰值电压。
3、半导体放电管处于导通状态(导通)时,所损耗的功率P应小于其额定功率Pcm,Pcm=KVT*IPP,其中K由短路电流的波形决定。对于指数波,方波,正弦波,三角波K值分别为1.00,1.4,2.2,2.8。
4、反向击穿电压VBR大于被保护电路的大工作电压。如在POTS应用中,大振铃电压(150V)的峰值电压(150*1.41=212.2V)和直流偏压峰值(56.6V)之和为268.8V,所以应选择VBR大于268.8V的器件。又如在ISDN应用中,大DC电压(150V)和大信号电压(3V)之和为153V,所以应选择VBR大于153V的器件。
5、若要使半导体放电管通过大的浪涌电流后自复位,器件的维持电流IH大于系统所能能提供的电流值。即:IH(系统电压/源阻抗)。
特点编辑 语音
1.适合高密度表面贴装的防静电浪涌。
2.适合流动和量低,可用于高频电路。
5.高绝缘阻抗特性。
6.可进行编带包装。
7.符合IEC61000-4-2规格。
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