mems光衰减器ODL
产品描述：
具备支持暗光（Dark）型能力，功耗更低、切换速度更快等特性。硅基VOA阵列器件内部为全固态芯片，具有百纳秒级的响应速度，八通道单片集成，功耗低，满足光传输、光传感系统对光衰减器高速响应、小型化、高可靠的需求。其响应速度比传统VOA提升4个数量级，达到100ns级，使WDM光网络中光功率快速控制成为可能。此外，其的光损耗可满足民用光网络应用要求，高的集成度有助于大幅度减小模块尺寸，纯固态波导芯片使其具备的可靠性。
1, 2 通道，低插损，低偏振损耗
通常为0.4 dB和低偏振相关损耗低的插入损耗。
关键特征：
100ns级高速响应、多至48通道单片集成、全固态波导芯片、光损耗。
典型应用：
通道间光功率均衡或阻塞、WDM网络光功率控制、1×1光开关、模拟信号调制（静态稳定、无需工作点反馈控制回路）。
可变光衰减器（VOA）有两种不同的配置。在VXA系列作品的传播，而VXP系列采用反射来调节衰减。 在性能方面的VP系列达到更低的插入损耗，更好的偏振相关损耗特性。而VA系列允许一个更简单的阵列集成，并降低成本。所有Sercalo的VOA使用高阻抗0-5 V输入端口设置衰减
本发明主要是解决现有技术所存在的上述的技术问题，提供了一种阵列可调光衰减器及其制作方法。该衰减器及其衰减和制作方法采用弯曲光波导结构设计，可以减小由输入端漏光形成的杂散光对相邻信道产生的光串扰；并且，在信道之间采用深刻蚀的隔热槽设计，在槽中填充低导热及低膨胀性能的polymer材料，可以有效的隔离各信道之间的交叉热传导。
