产品别名 |
集成电路,功率放大器,硅功率,MOS管 |
面向地区 |
全国 |
产地 |
广东 |
品牌 |
RENESAS/瑞萨 |
气泡膜宽度 |
其它 |
适用范围 |
其它 |
NE5550979A
硅功率LDMOS FET
特征
•高输出功率：Pout = 39.5 dBm TYP。 （VDS = 7.5 V，IDset = 200 mA，f = 460 MHz，引脚= 25 dBm）
•高功率附加效率：ηadd= TYP 66％。 （VDS = 7.5 V，IDset = 200 mA，f = 460 MHz，引脚= 25 dBm）
•高线性增益：GL = TYP 22 dB。 （VDS = 7.5 V，IDset = 200 mA，f = 460 MHz，引脚= 10 dBm）
•高ESD容限：ESD容限> 8 kV（IEC61000-4-2，接触放电）
•适用于VHF至UHF-BAND AB类功率放大器。
应用领域
•150 MHz频段无线电系统
•460 MHz频段无线电系统
•900 MHz频段无线电系统
订购信息
零件编号订单编号包装标记供应表格
NE5550979A NE5550979A-A 79A
（无铅）
W6•12毫米宽压纹带
•闸门针面向胶带的穿孔侧
NE5550979A-T1 NE5550979A-T1-A•12毫米宽压纹带
•闸门针面向胶带的穿孔侧
•数量1 kpcs /卷
NE5550979A-T1A NE5550979A-T1A-A•12毫米宽压纹带
•闸门针面向胶带的穿孔侧
大额定值（除非另有说明，否则TA = 25°C）
超过这些参数中的任何一个操作可能会导致性损坏。
参数符号额定值单位
漏极至源极电压VDS 30 V
栅极至源极电压VGS 6.0 V
TNERRUC NIARD IDS 3.0 A
总功耗笔记
功率25 W
通道温度Tch 150°C
储存温度Tstg −55至+150°C
注意：TC = 25°C时的值
最近来访记录
