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CT Micro 成立时专注于提供技术,并将其构建到我们的产品和解决方案中,然后可以通过我们客户苛刻的应用程序实施。
CT Micro 由一支技术、的团队管理,他们致力于光电和分立 MOSFET 产品的设计、营销和销售。所有高层管理和技术团队成员都拥有超过 15 年的产品知识,因此可以以少的精力和时间帮助实现从组件选择到实际成品实施的任何设计权利。所服务的一些终端市场应用领域包括消费电子、工业和家用电器。
了解任何佳应用和产品都需要匹配的组件, CT Micro 对我们所有的新产品实施严格的设计要求,并在我们的制造过程中实施世界的质量控制。对我们来说,创造可靠、的产品只是我们向客户、社会和世界展示我们的责任的一种方式。
一、输入特性
光耦合器的输入特性实际也就是其内部发光二极管的特性。常见的参数有:
1. 正向工作电压Vf(Forward Voltage)
Vf是指在给定的工作电流下,LED本身的压降。常见的小功率LED通常以If=20mA来测试正向工作电压,当然不同的LED,测试条件和测试结果也会不一样。
2. 反向电压Vr(Reverse Voltage )
是指LED所能承受的大反向电压,超过此反向电压,可能会损坏LED。在使用交流脉冲驱动LED时,要特别注意不要超过反向电压。
3. 反向电流Ir(Reverse Current)
通常指在大反向电压情况下,流过LED的反向电流。
4. 允许功耗Pd(Maximum Power Dissipation)
LED所能承受的大功耗值。超过此功耗,可能会损坏LED。
5. 中心波长λp(Peak Wave Length)
是指LED所发出光的中心波长值。波长直接决定光的颜色,对于双色或多色LED,会有几个不同的中心波长值。
6. 正向工作电流If(Forward Current)
If是指LED正常发光时所流过的正向电流值。不同的LED,其允许流过的大电流也会不一样。
7. 正向脉冲工作电流Ifp(Peak Forward Current)
Ifp是指流过LED的正向脉冲电流值。为寿命,通常会采用脉冲形式来驱动LED,通常LED规格书中给中的Ifp是以0.1ms脉冲宽度,占空比为1/10的脉冲电流来计算的。
工作特性编辑 语音
1、共模抑制比很高
在光电耦合器内部,由于发光管和受光器之间的耦合电容很小(2pF以内)所以共模输入电压通过极间耦合电容对输出电流的影响很小,因而共模抑制比很高。
2、输出特性
光电耦合器的输出特性是指在一定的发光电流IF下,光敏管所加偏置电压VCE与输出电流IC之间的关系,当IF=0时,发光二极管不发光,此时的光敏晶体管集电极输出电流称为暗电流,一般很小。当IF>0时,在一定的IF作用下,所对应的IC基本上与VCE无关。IC与IF之间的变化成线性关系,用半导体管特性图示仪测出的光电耦合器的输出特性与普通晶体三极管输出特性相似。
3、光电耦合器可作为线性耦合器使用
在发光二极管上提供一个偏置电流,再把信号电压通过电阻耦合到发光二极管上,这样光电晶体管接收到的是在偏置电流上增、减变化的光信号,其输出电流将随输入的信号电压作线性变化。光电耦合器也可工作于开关状态,传输脉冲信号。在传输脉冲信号时,输入信号和输出信号之间存在一定的延迟时间,不同结构的光电耦合器输入、输出延迟时间相差很大。
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