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光通信行业梓冠厂家纳秒光开关阵列芯片光纤通信

更新时间:2024-05-22 05:36:33 编号:a12n9aim6767dd
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  • SOI芯片式高速光开关阵列

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胡玉涵

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纳秒光开关阵列芯片
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光通信行业梓冠厂家纳秒光开关阵列芯片光纤通信

目前制造SOI晶圆的技术主要有三种:1)注入氧分离技术(Separation by Implanted Oxygen,SIMOX);2)键合回刻技术(Bond and Etch-back SOI,BESOI);3)智能剪切技术(Smart-Cut)。
品名称:NxN速光开关
产品简介:
高速铌酸速光开光具有的开关速度(标准产品是10ns,速产品为<100ps),较低的插损(标准插损3.5dB,插损型号为2dB),高开关速率为亚纳秒,标准产品为10ns开关速率,产品也适合领域的微波通信用途。通道数可定制!
纳秒光开关阵列芯片
NxN可定制通道
提供差损类型,差损<3dB, <2dB可以定制。
可定制超小尺寸
纳秒光开关阵列芯片
高集成化光开关,作为实现全光交换功能的核心部件,目前国内普遍采用单器件级联拼接的方式实现矩阵化。这种方案在其指标、工艺要求、产品可靠性及成本等方面形成瓶颈,导致国内全光交换应用在推广性、发展难以突破。
纳秒光开关阵列芯片
为了对短时间大视场一维光强信息进行采集,采用编码转换技术和自聚焦透镜矩形阵列设计了光开关,用小口径电光晶体实现了大视场的测量.采用MOS管级联的高压同步电路,使得系统具有结构紧凑、、寿命长等优点.实验结果表明:开关选通时间100±5 ns,前后沿小于25 ns,消光比1 100∶1
大多数光电类型使用pn结,而基于Si或Ge的结称为Si电池或Ge电池。由于具有从可见光到近红外的良好特性,因此具有广泛的应用范围。当以施加反向偏置电压并取出电流的方式使用光伏器件时,其具有的测量特性。通常称为光电二管,它越来越多地代替光电倍增管。光电晶体管使用与光电二管相同的检测方法,但结合了用于放大输出的机制。

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