江西4DSJJMICRO放电管

放电管是一种使用于设备输入端的高压保护元件。若其两端的电压高过其保护规格值时，其内部会出现短路现象，并吸收掉输入的过高压。

各放电管的比较如下表：

比较项目 固体放电管 气体放电管 压敏电阻 TVS二极管
保护方式 负阻 负阻 箝位 箝位
保护原理 无触发极pnpn 气体电离放电 类似雪崩二极管 雪崩二极管
结电容 50pF 1pF 500pF 50pF
响应时间 <1ns >1us <1us <1ns
大瞬间电流 3000A 20000A 6500A 50A
大漏电流 1uA 1pA 10uA 20uA
可靠性 无限重复使用 可能蜕化 可能蜕化 可能损坏
主要优点 导通， 瞬间电流很大 低电压使用，
无限重复，
快速响应
主要缺点 瞬间电流较小 响应时间慢 电容大，会蜕化 瞬间电流很小

承压能力

TVS管通常为5.5V到550V，压敏电阻从10V到9000V，气体放电管从75V到3500V。

选用半导体放电管应注意以下几点：
1、大瞬间峰值电流IPP大于通讯设备标准的规定值。如FCC Part68A类型的IPP应大于100A；Bellcore 1089的IPP应大于25A。
2、转折电压VBO小于被保护电路所允许的大瞬间峰值电压。
3、半导体放电管处于导通状态(导通)时，所损耗的功率P应小于其额定功率Pcm，Pcm=KVT*IPP，其中K由短路电流的波形决定。对于指数波，方波，正弦波，三角波K值分别为1.00，1.4，2.2，2.8。
4、反向击穿电压VBR大于被保护电路的大工作电压。如在POTS应用中，大振铃电压(150V)的峰值电压(150*1.41=212.2V)和直流偏压峰值(56.6V)之和为268.8V，所以应选择VBR大于268.8V的器件。又如在ISDN应用中，大DC电压(150V)和大信号电压(3V)之和为153V，所以应选择VBR大于153V的器件。
5、若要使半导体放电管通过大的浪涌电流后自复位，器件的维持电流IH大于系统所能能提供的电流值。即：IH(系统电压/源阻抗)。
特点编辑 语音
1.适合高密度表面贴装的防静电浪涌。
2.适合流动和量低，可用于高频电路。
5.高绝缘阻抗特性。
6.可进行编带包装。
7.符合IEC61000-4-2规格。
TSS是电压开关型瞬态抑制二极管，就是涌抑制晶体管，或者叫做导体放电管，固体放电管等等。TSS管是利用半导体工艺制成的保护器件，半导体器件行业硕凯电子研发及生产多种规格型号的半导体放电管，主要用于信号电路的防雷保护。不能用在电源端口。 TSS器件的通流容量一般高可达到150A（8/20uS）。