SIC肖特基势垒二极管SCS206/208/210/212/215/220AJHRTLL罗姆ROHM

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公司简介
源芯半导体有限公司专注于SiC功率元器件、SiC(碳化硅)MOSFET、SiC SBD肖特基势垒二极管、全SiC功率模块、及碳化硅周边IC等代理分销。授权代理品牌有：ROHM、CREE品牌代理与经销。我司位于中国电子元器件集散中心-深圳，团队有十一年的经验，我们有信心与您一起应对紧缺与计划各类采购任务，为我们共同长远的价值和共赢提供保障！企业宗旨:忠诚 责任 创造 共赢

罗姆的肖特基二极管是兼备低VF，低IR，高ESD强度的二极管
SiC（碳化硅）肖特基二极管
SiC肖特基势垒二极管（SiC SBD）具有很小的总电荷（Qc），低开关损耗且高速开关工作。因此，它被广泛用于电源的PFC电路中。此外，与硅基快恢复二极管的trr（反向恢复时间）会随温度的升高而增加不同，碳化硅（SiC）器件可保持恒定的特性，从而改善了电路性能。制造商能够减小工业设备和消费类电子产品的尺寸，非常适合在功率因数校正电路和逆变器中使用。

SiC SBD用于提高电力转换系统的可靠性，例如电池充电，电动汽车和混合动力车的充电电路以及太阳能电池板。 此外，它还被用于X射线发生装置等高压设备。

罗姆已发布的第3代SiC SBD的SCS3系列能够提供更大的浪涌电流容量，同时还能进一步降低第2代SBD的正向电压。
第2代 Sic MOSFET
SCH2080KE - N 1200 40 262 80 106 18 TO-247
SCT2080KE - N 1200 40 263 80 106 18
SCT2080KEAHR YES N 1200 40 264 80 106 18
SCT2160KE - N 1200 22 165 160 62 18
SCT2160KEAHR YES N 1200 22 165 160 62 18
SCT2280KE - N 1200 14 108 280 35 18
SCT2280KEAHR YES N 1200 14 108 280 35 18
SCT2450KE - N 1200 10 85 450 27 18
SCT2450KEAHR YES N 1200 10 85 450 27 18
SCT2750NY - N 1700 5.9 57 750 17 18 TO-268-2L
SCT2H12NY - N 1700 4 44 1150 14 18
SCT2H12NZ - 1700 3.7 35 1150 14 18 TO-3PFM
第3代 Sic MOSFET
SCT3017AL - N 650 118 427 17 172 18 TO-247N
SCT3022AL - N 650 93 339 22 133 18
SCT3030AL - N 650 70 262 30 104 18
SCT3060AL - N 650 39 165 60 58 18
SCT3080AL - N 650 30 134 80 48 18
SCT3120AL - N 650 21 103 120 38 18
SCT2120AF - N 650 29 165 120 61 18 TO-220AB
SCT3022KL - N 1200 95 427 22 178 18 TO-247N
SCT3030KL - N 1200 72 339 30 131 18
SCT3040KL - N 1200 55 262 40 107 18
SCT3080KL - N 1200 31 165 80 60 18
SCT3160KL - N 1200 17 103 160 42 18</a></a>
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