进口原装MT7612EN和BSC050N03MSGN沟道场效应晶体管
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更新时间：2018-09-03 15:54:34 信息编号：219767756

￥10

≥ 1只

价格：
10.00 元
产地：
原产地
导电类型：
双极型
关键词：
集成IC芯片,场效应晶体管

陈小姐

13632800820 0755-82530048

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详情介绍

产品别名	集成电路IC芯片,N沟道场效益康	面向地区	广东深圳	产地	原产地
导电类型	双极型	处理信号	模拟信号	封装	TDSON-8
型号	MT7612EN和BSC050N03MSG	营销方式	现货

进口原装MT7612EN和BSC050N03MSGN沟道场效应晶体管

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深圳市供应进口原装MT7612EN和BSC050N03MSG N沟道场效应晶体管价格低廉要的赶紧来电咨询

BSC050N03MSG规格：
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Ta），80A（Tc）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（大值） 5 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（大值） 2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（大值） 46nC @ 10V
Vgs（大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（大值） 3600pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（大值） 2.5W（Ta），50W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装
供应商器件封装 PG-TDSON-8
封装/外壳 8-PowerTDFN

功能摘要：
低的栅极和输出电荷
小尺寸封装中的低导通电阻
易于设计

优点：
延长电池寿命
改善了EMI行为，使外部缓冲网络过时
节省成本
节省空间
减少功率损失

目标应用：
板载充电器
笔记本
主板
DC-DC
VRD / VRM
电机控制
LED

【进口原装MT7612EN和BSC050N03MSGN沟道场效应晶体管】此型号为我司原装现货产品，因公司所发布的信息仅供参考，价格也均不是实价，实际交易请以当天咨询为准！！！

优势货源：
MT7612EN
BSC050N03MSG
ISL95520HRZ
THS4081IDGNR
ISL97678IRZ
TPS51285BRUKR
ACNW3190-500E
XC7A200T-2FBG484I
A3950SLPTR
N79E814AT20
HF81GS
DS90LV048ATMX
LM10011SDX
ADS1000A0QDBVRQ1
TPD4EUSB30DQAR
DS90LV048ATMTCX
TCA9617ADGKR

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