西藏5DLJJMICRO放电管,气体放电管

江苏捷捷微电子股份有限公司创建于1995年，是一家从事半导体分立器件、电力电子元器件研发、制造和销售的江苏省高新技术企业、江苏省创新型企业、中国半导体协会会员单位、中国电器工业协会电力电子分会会员单位。公司建有“江苏省企业技术中心”、“江苏省工程技术研究中心”。公司具备的技术创新能力、良好的市场信誉和业务网络，是国内电力半导体器件领域中，晶闸管器件及芯片方片化IDM（整合元件制造商，即覆盖了整个芯片产业链，集芯片设计，制造和封装测试一体）的半导体厂商。公司“捷捷”牌产品已销往日本、韩国、西班牙、新加坡、台湾等国家和地区，可靠的质量得到了用户的充分肯定。

各放电管的比较如下表：

比较项目 固体放电管 气体放电管 压敏电阻 TVS二极管
保护方式 负阻 负阻 箝位 箝位
保护原理 无触发极pnpn 气体电离放电 类似雪崩二极管 雪崩二极管
结电容 50pF 1pF 500pF 50pF
响应时间 <1ns >1us <1us <1ns
大瞬间电流 3000A 20000A 6500A 50A
大漏电流 1uA 1pA 10uA 20uA
可靠性 无限重复使用 可能蜕化 可能蜕化 可能损坏
主要优点 导通， 瞬间电流很大 低电压使用，
无限重复，
快速响应
主要缺点 瞬间电流较小 响应时间慢 电容大，会蜕化 瞬间电流很小

通流能力

气体放电管>压敏电阻>TVS管

TVS管通常只有几百A，压敏电阻按不同规格可通过数KA到数十KA的单次8/20uS浪涌电流，气体放电管来说通常十KA级别8/20uS浪涌电流可导通数百次。

选用半导体放电管应注意以下几点：
1、大瞬间峰值电流IPP大于通讯设备标准的规定值。如FCC Part68A类型的IPP应大于100A；Bellcore 1089的IPP应大于25A。
2、转折电压VBO小于被保护电路所允许的大瞬间峰值电压。
3、半导体放电管处于导通状态(导通)时，所损耗的功率P应小于其额定功率Pcm，Pcm=KVT*IPP，其中K由短路电流的波形决定。对于指数波，方波，正弦波，三角波K值分别为1.00，1.4，2.2，2.8。
4、反向击穿电压VBR大于被保护电路的大工作电压。如在POTS应用中，大振铃电压(150V)的峰值电压(150*1.41=212.2V)和直流偏压峰值(56.6V)之和为268.8V，所以应选择VBR大于268.8V的器件。又如在ISDN应用中，大DC电压(150V)和大信号电压(3V)之和为153V，所以应选择VBR大于153V的器件。
5、若要使半导体放电管通过大的浪涌电流后自复位，器件的维持电流IH大于系统所能能提供的电流值。即：IH(系统电压/源阻抗)。
特点编辑 语音
1.适合高密度表面贴装的防静电浪涌。
2.适合流动和量低，可用于高频电路。
5.高绝缘阻抗特性。
6.可进行编带包装。
7.符合IEC61000-4-2规格。
TSS是电压开关型瞬态抑制二极管，就是涌抑制晶体管，或者叫做导体放电管，固体放电管等等。TSS管是利用半导体工艺制成的保护器件，半导体器件行业硕凯电子研发及生产多种规格型号的半导体放电管，主要用于信号电路的防雷保护。不能用在电源端口。 TSS器件的通流容量一般高可达到150A（8/20uS）。