IPP50R190CE金属氧化物半导体场效应晶体管
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更新时间：2018-08-17 10:35:11 信息编号：210687449

￥7

≥ 1只

价格：
7.00 元
产地：
原产地
导电类型：
单极型
关键词：
场效应晶体管

陈小姐

13632800820 0755-82530048

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详情介绍

IPP50R190CE金属氧化物半导体场效应晶体管

产品别名	场效应晶体管	面向地区	广东深圳	产地	原产地
导电类型	单极型	产品性质	新品	处理信号	模拟信号
封装	TO-220-3	型号	IPP50R190CE	营销方式	库存

星际金华优势大量【IPP50R190CE金属氧化物半导体场效应晶体管】全新原装价格实惠质量

深圳市星际金华提供【IPP50R190CE金属氧化物半导体场效应晶体管】价优物原有意者请广大商友致电订购

IPP50R190CE金属氧化物半导体场效应晶体管：需要此型号的客户请先咨询工作人员，产品资料，图片也仅供参考，实单者可议价，有接受价也请直说。

规格：
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18.5A（Tc）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On） 13V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（大值） 190 毫欧 @ 6.2A，13V
不同 Id 时的 Vgs（th）（大值） 3.5V @ 510µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（大值） 47.2nC @ 10V
Vgs（大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（大值） 1137pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散（大值） 127W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型通孔
供应商器件封装 PG-TO-220-3
封装/外壳 TO-220-3

优势产品：
STM32L476VGT6
PI7C9X440SLBFDE
AD8630ARZ
TCA6424RGJR
SN74AVCA164245GR
ISL6366CRZ
IPP50R190CE
MAX4999ETJ
89H34H16G2ZCBLG
CYBL10462-56LQXI
MT27518A2
ADUM2250ARWZ
TPS65631DPDR
HD3SS6126RUAR

公司简介：
深圳市星际金华实业有限公司是的电子元件分销商。公司在香港、深圳等地设有仓库，有足够的库存资源，物品的质量是我们对客户基本的承诺，所有物料在入库之前都经过严谨的质量核查，以确保能够为您提供严格符合原厂各项技术标准的原厂原包装货品。我们将用诚信与您合作，期待您的致电咨询！！！

公司主要销售电子元器件产品，涉及集成电路、场效应管、达林顿、肖特基、快恢复、可控硅、三相桥、整流二极管、DC/DC、AC/DC、IGBT、IPM、PIM、变频调速,功率模块,射频大小功率管等,产品主要应用于家电产业，电力、通信系统、数据传输,电机调速，变频设备等高科技领域。

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