产品别名 |
贴片整流二极管,贴片晶体二极管 |
面向地区 |
全国 |
在工程技术中，贴片二极管与普通二极管的内部结构基本相同，均由一个PN结组成。因此，贴片二极管的检测与普通二极管的检测方法基本相同。对贴片二极管的检测通常采用万用表的R×100 Ω 档或R×1 kΩ档进行测量。
反向击穿作用
整流二极管的作用中的反向击穿，反向击穿按机理原理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。整流二极管在高掺杂浓度的情况下，整流二极管因势垒区宽度很小，反向电压较大会破坏势垒区内共价键结构，使电子脱离共价键束缚，产生电子空穴，整流二极管的作用中的另一种击穿为雪崩击穿。当整流二极管反向电压增加到较大数值时，外加电场会使电子漂移速度加快，从而使整流二极管共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子空穴对。
二极管的反向恢复时间产生的原因：
二极管是半导体器件，由一对PN结组成，PN结有电荷存储效应（电荷消失需要一定时间）。
二极管的反向恢复时间就是由PN结的电荷存储效应引起的。
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