IPD90N04S3-04和IPB80N06S2-08N沟道场效应晶体管

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星际金华供应英飞凌IPD90N04S3-04和IPB80N06S2-08N沟道场效应晶体管，全新原装，价格低廉，质量可，欢迎选购！！！

IPD90N04S3-04：
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 90A（Tc）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（大值） 4V @ 90µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（大值） 80nC @ 10V
Vgs（大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（大值） 5200pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（大值） 136W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（大值）3.6 毫欧 @ 80A，10V
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PG-TO252-3
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

IPB80N06S2-08：
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 55V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（大值） 4V @ 150µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（大值） 96nC @ 10V
Vgs（大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（大值）2860pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（大值） 215W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（大值）7.7 毫欧 @ 58A，10V
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PG-TO263-3-2
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

本公司还以下型号：
MAX15005BAUE
L9904TR
IXEL40N400
EFM8BB21F16G-C-QFN20R
DL-3100
AMIS42665TJAA1RG
MC10XS4200BFK
MC22XS4200BEKR2
VN7140ASTR
IPD90N04S3-04
IPB80N06S2-08
SAK-TC265D-40F200W
ZLNB2013Q16TC
STM32F107RBT6

【英飞凌IPD90N04S3-04和IPB80N06S2-08N沟道场效应晶体管】此型号为星际金华长期原装现货产品，网上所标价格均不是实价，欢迎来电咨询订购。</a>