青岛华能四通道介质损耗测试仪HN600接地导通电阻测试仪

直通方式选取：直通方式包括：零长度直通、定义直通、未知直通、定义直通（ECal）、未知直通（ECal）。种针对机械校准件，后两者是电子校准件。定义直通，选用已知特性机械转接器，或选用电子校准件内部直通状态。未知直通，选用未知特性转接器，或选用电子校准件内部直通状态作为未知特性状态使用。用户可以根据实际情况选取合适的直通方式,未知直通使用更加灵活，是非插入校准缺省直通方式。总结电子与机械混合校准模式，可平衡校准速度，连接复杂度与校准精度等多种因素。

HN6000D自动抗干扰精密介质损耗测量仪

HN6000D系列自动抗干扰精密介质损耗测量仪用于现场抗干扰介损测量，或试验室精密介损测量。仪器为一体化结构，内置介损电桥、变频电源、试验变压器和标准电容器等。采用变频抗干扰和傅立叶变换数字滤波技术，全自动智能化测量，强干扰下测量数据非常稳定。测量结果由大屏幕液晶显示，自带微型打印机可打印输出。 现在是时候采用新的架构方法，使IIoT可以在雾计算中充分发挥其潜能。图1:图中显示了OpenFog架构的8支柱模型，包括安全性、可扩展性、开放性、自主性、可靠性/可用性/可服务性（RAS）、灵活性、层次结构和可编程性。本文图片来源:OpenFog联盟定义雾计算雾计算是为数据密集、计算、高风险环境而设计的。雾是一种新兴的分布式体系架构，它在云和与之相连接的设备之间架起桥梁，而不需要在现场和工厂中建立的云连接。 

1.1 主要技术指标

准确度： Cx: ±（读数×1%+1pF）

tgδ: ±（读数×1%+0.00040）

抗干扰指标：变频抗干扰，在200%干扰下仍能达到上述准确度

电容量范围： 内施高压： 3pF～60000pF/10kV 60pF～1μF/0.5kV

外施高压： 3pF～1.5μF/10kV 60pF～30μF/0.5kV

分辨率： 0.001pF，4位有效数字

tgδ范围： 不限，分辨率0.001%，电容、电感、电阻三种试品自动识别。

试验电流范围：10μA～5A

内施高压： 设定电压范围：0.5～10kV

输出电流：200mA

升降压方式： 连续平滑调节

电压精度： ±(1.5%×读数+10V)

电压分辨率： 1V

试验频率： 45、50、55、60、65Hz单频

45/55Hz、55/65Hz、47.5/52.5Hz自动双变频

频率精度： ±0.01Hz测试测量仪器仪表产品怎么选？本文将介绍测距仪的选购方法。什么是测距仪？测距仪是利用调制的某个参数对目标的距离进行准确测定的仪器。脉冲式测距仪是在工作时向目标射出一束或一序列短暂的脉冲束，由光电元件接收目标反射的束，计时器测定束从发射到接收的时间，计算出从测距仪到目标的距离。当发射的束功率足够时，测程可达4公里左右甚至更远，测距仪可昼夜作业，但空间中有对吸收率较高的物质时，其测距的距离和精度会下降。

外施高压： 正接线时试验电流5A，工频或变频40-70Hz

反接线时试验电流10kV/5A，工频或变频40-70Hz

CVT自激法低压输出：输出电压3～50V，输出电流3～30A

CVT及pT变比测量 - 变比测量范围：10~99999

变比测量精度：±读数×1%

相位测量范围：0~359.999°

相位测量精度：±0.02

兆欧表功能试验电压： 直流100~10000V逐伏设置

电压精度 ： ±（设置值×2%+10V）

测量范围 ： 100kΩ~1000GΩ

测量精度 ： 100kΩ~10GΩ时为5%（试验电压不低于250V）

高压输出插座（0.5～10kV，200mA）

测试图IT6500C/D模拟量接口其中6脚可输出同步信号，当电源输出On时，该引脚输出高电平；当电源输出Off时，该引脚输出为低电平；可用于其他设备On/Off同步控制，驱动能力为5V/5mA。电源上升时间的测试电源上升时间与开机时间的区别，上升时间（RiseTime）：电压从没有上升至稳定的这段时间（一般量测输出电压的上下限为10%~90%或5%~95%），如上图所示，Va为输出电压的10%，Vb为输出电压的90%，Va，Vb之间的时间即为开机电压上升时间。

安装位置：箱体前侧面，外设保护门。

功    能：内高压输出；检测反接线试品电流；内部标准电容器的高压端。

接线方法：插座1脚接高压线芯线（红夹子），2、3脚接高压线（黑夹子）。正接线时，高压线芯线（红夹子）和（黑夹子）都可以用作加压线；反接线时只能用芯线对试品高压端加压。如果试品高压端有极（如高压端的环）可接高压，无时高压悬空。

注意事项：

（1）仪器测量电缆通用，建议用高压线连接此插座。高压插座和高压线有危险电压，禁止碰触高压插座、电缆、夹子和试品带电部位！确认断电后接线，测量时务必远离！

（2）用标准介损器（或标准电容器）检定反接线精度时，应使用全插头连接试品，否则暴露的芯线会引起误差。

（3）应高压线与试品高压端0电阻连接，否则可能引起误差或数据波动，也可能引起仪器保护。

（4）强干扰下拆除接线时，应在保持电缆接地状态下断开连接，以防感应。

2.2试品输入Cx插座（10μA～1A） 因为使用了以低电阻、高速开关为特点的SiC和GaN等新型功率元件的PWM变频器和AC/DC转换器、DC/DC转换器，其应用系统的普及正在不断加速。构成这些系统的变频器转换器马达等装置的开发与测试则需要相较以前有着更、更宽频带、更高稳定性的能够迅速测量损耗和效率的测量系统。各装置的损耗和效率与装置的输入功率和输出功率同时测量，利用它们的差和比计算。功率通过电压和电流测量，机械输出通过扭矩和转速测量并计算。

功    能：正接线时输入试品电流。

接线方法：插座1脚接测量线芯线（红夹子），2、3脚接测量线（黑夹子）。正接线时芯线（红夹子）接试品低压信号端，如果试品低压端有极（如低压端的环）可接，试品无时悬空。

注意事项：

（1）测量中严禁拔下插头，防止试品电流经入地！

（2）用标准介损器（或标准电容器）检测仪器正接线精度时，应使用全插头连接试品，否则暴露的芯线会引起误差。

（3）应引线与试品低压端0电阻连接，否则可能引起误差或数据波动，也可能引起仪器保护。

（4）强干扰下拆除接线时，应在保持电缆接地状态下断开连接，以防感应。

2.3标准电容输入Cn插座（10μA～1A）同时，还需要解决相关的测试效率选优算法和评价体系等问题。系统建模问题并行测试系统具有复杂的网状特征，系统建模除了要描述包含哪些UUT、哪些测试任务、测试任务和仪器之间的耦合关系等之外，更重要的是要描述清楚并行测试任务之间的控制相关性和时序相关性。信号链路动态建立问题再好的车也得跑在平坦舒适的路上方能彰显其性能的和不凡。并行测试不但要提供“路”，而且需要提供“多车道路”，更需要根据车型提供“个性化道路”。

功    能：输入外接标准电容器电流。

接线方法：与Cx插座类似，其区别在于：

 

（1）使用外部标准电容器时，应使用全插头连接。此方式常用于外接高电压等级标准电容器，实现高电压介损测量。

（2）菜单选择“外Cn”方式。

（3）将外接标准电容器的C和tgδ置入仪器，实现Cx电容介损的值测量。

从原理上讲，任何容量和介损的电容器，将参数置入仪器都可做标准电容器。不同的是标准电容器能提供更好的长期稳定性和精度。

（4）不管正接线还是反接线测量，标准电容器接线方式始终为正接线。晶闸管又叫可控硅，是一种在晶体管基础上发展起来的大功率半导体器件，主要并广泛应用于整流、逆变、调压及开关等方面，对可控硅性能进行检测，对于电控系统的日常维护、正常运转具有十分重要的意义。可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种，都是三个电极。单向可控硅有阴极（K）、阳极（A）、控制极（G）。双向可控硅等效于两只单项可控硅反向并联而成，即其中一只单向硅阳极与另一只阴极相边连，其引出端称T2极，其中一只单向硅阴极与另一只阳极相连，其引出端称T2极，剩下则为控制极。