BSC010N04LSIN沟道场效应管
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更新时间：2018-02-08 10:55:53 信息编号：111809317

￥1.3

≥ 1只

价格：
1.30 元
产地：
原产地
导电类型：
单极型
关键词：
BSC010N04LSI,N沟道场效应管

陈晓宏

13632800820 0755-82530048

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详情介绍

BSC010N04LSIN沟道场效应管

产品别名	BSC010N04LSI,N沟道场效应管	面向地区	广东深圳	产地	原产地
导电类型	单极型	产品性质	新品	处理信号	模拟信号
封装	8-PowerTDFN	型号	BSC010N04LSI	营销方式	库存

星际金华电子公司为你供应【BSC010N04LSI N沟道场效应管】原厂，价格优势，现货库存！

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产品详细参数：
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）37A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（大值）2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（大值） 87nC @ 10V
Vgs（大值）±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（大值）6200pF @ 20V
FET 功能肖特基二极管（体）
功率耗散（大值）2.5W（Ta），139W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（大值）） 1.05 毫欧 @ 50A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装
供应商器件封装 PG-TDSON-8 FL
封装/外壳8-PowerTDFN

公司还提供以下型号：
TMP513AIRSAR
TPS22904YFPR
TMP423BIDCNR
BSC010N04LSI
BSC016N06NS
BSC077N12NS3G
BSC028N06NS
STD25NF20
XC7Z035-1FBG676I
XC7A200T-1SBG484I
TMS320C6414TBCLZ1
MIP4150MDSLJ
W25Q64FVSFIG
STM8S003F3U6TR
UCB1400BEVM
GD25Q16CSIG
NCV7513BFTR2G
ESD8472MUT5G
BCM82764BKFSBG
MFRC63001HN
L6207PD
WM9714LGEFL
AGQ210A03Z
GT60M324
BQ24260YFFR
BQ24261YFFR
STK672-432B
TLE2301INE
STM8L101F2U6ATR
6N136M
STW4N150
MM3Z39VT1G
NCP1607BDR2G
TPS78218DRVR
ACMD-6003
BGU8052
TQP9418
HMC546LP2E
LTC6994IS6-1
XCVU440-2FLGA2892E
BU30TD2WNVX
LM3646YFQR

【BSC010N04LSI N沟道场效应管】此型号均为我司长期现货供应产品，网上标价持有不确定性，价格为请以当天询问为准，有意者，可以来电联系公司工作人员，我们将竭诚为您服务！！！

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