产品别名 |
MOSFET场效应管,N沟道,三级管 |
面向地区 |
精度等级 |
0.1级 |
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-251-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:200 V
Id-连续漏极电流:5 A
Rds On-漏源导通电阻:600 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:20 V
Qg-栅极电荷:15 nC
小工作温度:- 55 C
大工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:43 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封装:Tube
高度:6.22 mm
长度:6.73 mm
晶体管类型:1 N-Channel
宽度:2.38 mm
商标:Infineon / IR
正向跨导 - 小值:2.6 S
下降时间:12 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:11 ns
工厂包装数量:3000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:20 ns
典型接通延迟时间:6.4 ns
