江苏氮化镓二极管现货供应

国内对GaN材料的研究开展得较晚，跟国际上的高水平相比有着较大的差距,但近年来也取得了显著的进展，目前蓝光发光二极管已有实验室样品，并且正在走向产业化。绿光、紫光二极管也已制出样管。白光二极管的制造技术也将一步步走向成熟。

GaN具有较宽的禁带宽度（3.4eV），以蓝宝石等材料为衬底，具有良好的散热性能，有利于器件在高功率条件下的工作。随着III族氮化物材料和器件研发的不断深入，GaInN蓝光和绿光LED技术已经商业化，现在全球各大公司和研究机构都投入巨资研发蓝光LED的竞争。

GaN材料系列具有低发热率和高击穿电场，是开发高温、大功率电子器件和高频微波器件的重要材料。目前，随着MBE技术在GaN材料应用方面的进展以及薄膜生长关键技术的突破，各种GaN异质结构已成功生长。利用GaN材料制备了金属场效应晶体管（MESFET）、异质结场效应晶体管（HFET）和调制掺杂场效应晶体管（MODFET）等新型器件。调制掺杂AlGaN/GaN结构具有高电子迁移率（2000cm2/vs）、高饱和速度（1×107cm/s）和低介电常数，是制作微波器件的材料；采用GaN宽带隙（3.4eV）和蓝宝石等材料作为衬底，具有良好的散热性能，有利于器件在高功率条件下工作。