中山出售氮化镓二极管价格

氮化镓是一种直接带隙宽禁带半导体材料,禁带宽度为3.4eV。GaN材料化学件质稳定,在室温下不溶于水、酸、碱;质地带硬,熔点非常高(250(rC)。GaN材料制作的蓝光、绿光LED以及激光二极管(Laser Diode, LD)早已实现了产业化生产,以其体积小、寿命长、亮度高、能耗小等优点,有望取代传统白识灯、日光灯等成为主要照明光源。

氮化镓，分子式GaN，英文名氮化镓是一种氮和镓的化合物，镓是一种具有直接带隙的半导体材料，自1990年以来一直在发光二极管中广泛使用。这种化合物的结构类似于纤锌矿，其硬度很高。Keep Tops的氮化镓具有3.4电子伏的极宽能隙，可用于大功率、高速的光电元件，其单芯片亮度理论上可达到过去的10倍。

让GaN在终端设备领域显得特别有前途的是5G无线电和电源技术以及超快速充电配件。在超快速充电配件中，明显的表现是，与传统的硅部件相比，GaN在较小的面积内具有更好的热效率和功率效率。