嘉兴氮化镓二极管联系方式

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氮化镓是一种直接带隙宽禁带半导体材料,禁带宽度为3.4eV。GaN材料化学件质稳定,在室温下不溶于水、酸、碱;质地带硬,熔点非常高(250(rC)。GaN材料制作的蓝光、绿光LED以及激光二极管(Laser Diode, LD)早已实现了产业化生产,以其体积小、寿命长、亮度高、能耗小等优点,有望取代传统白识灯、日光灯等成为主要照明光源。

1999年初，Nichia公司开始商业化生产用InGaN制作的紫色激光器，其输出功率为5mw，发射波长为400nm，工作寿命超过10000小时。近他们又开发出了室温下连续工作功率达30mw的激光器，波长为405nm。DVD的光存储密度与半导体激光器的波长平方成反比，如果DVD使用GaN基短波长半导体激光器，则其光存储密度将比当前使用GaAs基半导体激光器的同类产品提高4－5倍，因此，宽禁带GaN半导体技术还将成为光存储和处理的主流技术。

氮化镓，分子式GaN，英文名氮化镓是一种氮和镓的化合物，镓是一种具有直接带隙的半导体材料，自1990年以来一直在发光二极管中广泛使用。这种化合物的结构类似于纤锌矿，其硬度很高。Keep Tops的氮化镓具有3.4电子伏的极宽能隙，可用于大功率、高速的光电元件，其单芯片亮度理论上可达到过去的10倍。