宿迁供应MOSFET二极管厂家

MOSFET（包括SiC-MOSFET）在漏极和源极之间具有一个体二极管。体二极管由源极和漏极之间的pn结构组成，也被称为“寄生二极管”或“内部二极管”。对于MOSFET而言，体二极管的性能是其中一个重要参数，在实际应用中起着至关重要的作用。

在SiC-MOSFET中，当向漏极施加负电压时，以源极为基准，体二极管处于正向偏置状态。绿色曲线表示Vgs=0V时的特性，即MOSFET处于关断状态，没有通道电流，因此该条件下的Vd-Id特性可以看作是体二极管的Vf-If特性。正如“何谓碳化硅”中提到的，SiC具有更宽的带隙，因此其体二极管的Vf比Si-MOSFET大得多。

MOSFET中用内部二极管，保护器件免受因连接的电感性负载,产生的反向EMF尖峰的影响。当电感负载与MOSFET漏极接通时,电能立即存储在负载内部，并且在下一个瞬间随着关闭,该存储的EMF从MOSFET源极到漏极,从而导致MOSFET性损坏。在器件的漏源极间存在一个内部二极管，通过允许反电动势尖峰穿过二极管来阻止MOSFET被损坏，保护MOSFET。

功率MOS场效应晶体管的种类：按导电沟道可分为P沟道和N沟道。按栅极电压幅值可分为；耗尽型；当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道，增强型；对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道，功率MOSFET主要是N沟道增强型。

在器件应用时除了要考虑器件的电压、电流、频率外，还掌握在应用中如何保护器件，不使器件在瞬态变化中受损害。当然晶闸管是两个双极型晶体管的组合，又加上因大面积带来的大电容，所以其dv/dt能力是较为脆弱的。对di/dt来说，它还存在一个导通区的扩展问题，所以也带来相当严格的限制。
FET用作具有两个触点的导电半导体通道-“源极”和漏极。 GATE结可以被理解为作为MOS结构的2端子电路，该MOS结构用作整流反向偏置模式。 通常，在经典工作情况下，GATE阻抗较高。根据这些标准的FET通常是MOSFET，JFET，金属半导体FET（MESFET）和异质结构FET。 在这些FET中，MOSFET是重要的晶体管之一，通常用于各种应用。