浙江供应氮化镓二极管报价

衬底对Ⅲ族氮化物的极性及极化作用的影响很重要。的外延膜所需的化学反应和条件与晶体的极性有关。在很多情况下，衬底决定外延材料晶体的极性、应力大小与种类(张应力或压应力)，以及极化效应的程度。用不同的外延生长技术，可以对这些性能进行适当的调整，如用蓝宝石衬底，可以生长任一极性的GaN膜。外延在异质衬底如蓝宝石和SiC上的GaN失配位错和线性位错密度一般为，而Si的同质外延的位错密度接近于零，GaAs同质外延的密度为 ，GaN中其它的晶体缺陷还包括反向畴晶界、堆垛层错。这些缺陷可以作为非辐射复合中心，会在带隙中引入能量态和降低少数载流子的寿命。杂质在线性位错的附近扩散比在体材料中更迅速，导致了杂质的不均匀分布，因而降低p-n结的陡峭性。由于GaN高的压电常数，在线性位错周围的本征应力导致电势和电微小的变化。这类缺陷一般不是均匀分布，因此此类材料或由此类材料制成的器件的电学性能和光学性能也就不均匀。缺陷会提高器件的阈值电压和反向漏电流，减少异质结场效应晶体管面载流子浓度，降低载流子迁移率和热导率。这些不利效应将射频理想性能的复杂结构的、大面积大功率器件的制备。不管选择什么衬底，衬底的许多不足之处如晶体质量及与GaN的结合性差等可以通过适当的表面处理得到改善，如氮化、沉积低温AlN或GaN缓冲层、插入多层低温缓冲层，侧向外延，悬空外延及其它技术。通过此类技术的使用，可以降低GaN外延层的位错密度。

GaN材料由于缺乏合适的体单晶衬底，只有采用异质外延技术。商业化的半导体绝大多数是采用体材料，GaN材料是一个例外，它用异质外延材料成功地做成了器件。

GaN基光电器件已经商业化，而GaN HEMT拥有如此出色的功率特性，但仍没有实现商品化，除了与其相竞争的半导体器件己经牢牢占据了市场，其成本较高以及人们心里层面的问题外，重要的还是因为还有需要解决的问题。相对于Si和其它Ⅲ－Ⅴ族技术，如SiC技术，GaN技术仍不成熟。而且，对GaN HEMT的长期稳定性和可靠性也了解甚少。GaN HEMT漏极电流受频率影响而发生变化，存在漏极电流崩塌现象。该现象影响器件的大RF漏极电流，使其远小于同一或相似器件直流情况下所得到的大电流。